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BUK9K89-100E,115

BUK9K89-100E,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K89-100E,115
PNEDA Part # BUK9K89-100E-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.220
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K89-100E Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K89-100E,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K89-100E, BUK9K89-100E Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 726,68 KB)
PDFBUK9K89-100E Datasheet Copertura
BUK9K89-100E Datasheet Pagina 2 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 3 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 4 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 5 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 6 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 7 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 8 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 9 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 10 BUK9K89-100E Datasheet Pagina 11

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BUK9K89-100E Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1108pF @ 25V
Potenza - Max38W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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APTM20DHM08G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

208A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

781W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

TC1550TG-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IRFI4019HG-117P

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Potenza - Max

18W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5 Full-Pak

SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Potenza - Max

1.28W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Venduto di recente

CDRH124NP-100MC

CDRH124NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 4.5A 28 MOHM SMD

BC81725MTF

BC81725MTF

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

TAJB106K016RNJ

TAJB106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1411

EN6360QI

EN6360QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.8V 46W

74HC259D

74HC259D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC 8BIT ADDRESSABLE LATCH 16SOIC

AT25256B-SSHL-T

AT25256B-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SOIC

LTC3642EMS8E-5#PBF

LTC3642EMS8E-5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK 5V 50MA 8MSOP

7447709220

7447709220

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD

DMN32D2LV-7

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Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

MF-USMF020-2

MF-USMF020-2

Bourns

PTC RESET FUSE 30V 200MA 1210

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312