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TC1550TG-G

TC1550TG-G

Solo per riferimento

Numero parte TC1550TG-G
PNEDA Part # TC1550TG-G
Descrizione MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TC1550TG-G Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTC1550TG-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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TC1550TG-G Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs60Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds55pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

LKK47-06C5

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS264™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS264™

FW217A-TL-2WX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.73nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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FDW2501N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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