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BUK7K6R2-40EX

BUK7K6R2-40EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7K6R2-40EX
PNEDA Part # BUK7K6R2-40EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.660
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7K6R2-40EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7K6R2-40EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK7K6R2-40EX, BUK7K6R2-40EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 757,23 KB)
PDFBUK7K6R2-40EX Datasheet Copertura
BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 2 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 3 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 4 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 5 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 6 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 7 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 8 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 9 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 10 BUK7K6R2-40EX Datasheet Pagina 11

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BUK7K6R2-40EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2210pF @ 25V
Potenza - Max68W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMD

CSD87384M

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-LGA

Pacchetto dispositivo fornitore

5-PTAB (5x3.5)

DMN601VKQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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SOT-563

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Produttore

Microchip Technology

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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