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BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004

Solo per riferimento

Numero parte BSM250D17P2E004
PNEDA Part # BSM250D17P2E004
Descrizione HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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BSM250D17P2E004 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM250D17P2E004
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BSM250D17P2E004 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETSilicon Carbide (SiC)
Tensione Drain to Source (Vdss)1700V (1.7kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 66mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30000pF @ 10V
Potenza - Max1800W (Tc)
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 15V, 807pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (3x3)

DMG4822SSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

478.9pF @ 16V

Potenza - Max

1.42W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Texas Instruments

Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

469pF @ 10V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WSON (2x2)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 10V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

18-BGA (2.5x4)

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 15V

Potenza - Max

475mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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