BSM180D12P3C007
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| Numero parte | BSM180D12P3C007 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BSM180D12P3C007 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | SIC POWER MODULE | ||||||||||||||||||
| Produttore | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.471 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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BSM180D12P3C007 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSM180D12P3C007 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BSM180D12P3C007 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Potenza - Max | 880W |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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