BSD816SNL6327HTSA1
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| Numero parte | BSD816SNL6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BSD816SNL6327HTSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.822 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 6 - gen 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSD816SNL6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSD816SNL6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BSD816SNL6327HTSA1, BSD816SNL6327HTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 472,03 KB)
  
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BSD816SNL6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
| Pacchetto / Custodia | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
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