CSD16570Q5B
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| Numero parte | CSD16570Q5B |
| PNEDA Part # | CSD16570Q5B |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.256 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD16570Q5B Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD16570Q5B |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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CSD16570Q5B Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 12V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
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