BSC027N10NS5ATMA1
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Numero parte | BSC027N10NS5ATMA1 |
PNEDA Part # | BSC027N10NS5ATMA1 |
Descrizione | TRENCH >=100V |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.694 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC027N10NS5ATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | BSC027N10NS5ATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
BSC027N10NS5ATMA1, BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 831,21 KB)
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BSC027N10NS5ATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 146µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSON-8-3 |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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