BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet
BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet
Totale pagine: 11
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
BSC027N10NS5ATMA1
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 146µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8200pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 214W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSON-8-3 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
