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BLS2731-10,114

BLS2731-10,114

Solo per riferimento

Numero parte BLS2731-10,114
PNEDA Part # BLS2731-10-114
Descrizione RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.880
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BLS2731-10 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBLS2731-10,114
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BLS2731-10, BLS2731-10 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 89,85 KB)
PDFBLS2731-10 Datasheet Copertura
BLS2731-10 Datasheet Pagina 2 BLS2731-10 Datasheet Pagina 3 BLS2731-10 Datasheet Pagina 4 BLS2731-10 Datasheet Pagina 5 BLS2731-10 Datasheet Pagina 6 BLS2731-10 Datasheet Pagina 7 BLS2731-10 Datasheet Pagina 8 BLS2731-10 Datasheet Pagina 9 BLS2731-10 Datasheet Pagina 10 BLS2731-10 Datasheet Pagina 11

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BLS2731-10 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)75V
Frequenza - Transizione3.1GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10dB
Potenza - Max145W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 250mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-445C
Pacchetto dispositivo fornitoreCDFM2

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

2SC5751-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

205mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF555

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Power Macro

Pacchetto dispositivo fornitore

Power Macro

JTDB75

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 8.2dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

1035MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB ~ 10.5dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

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