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MRF555

MRF555

Solo per riferimento

Numero parte MRF555
PNEDA Part # MRF555
Descrizione RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF555 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF555
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MRF555 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)16V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno11dB ~ 13dB
Potenza - Max3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 250mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPower Macro
Pacchetto dispositivo fornitorePower Macro

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

AT-41486-TR1G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Guadagno

9dB ~ 18dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-86

Pacchetto dispositivo fornitore

86 Plastic

MRF586

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

17V

Frequenza - Transizione

3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

UMIL80

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

31V

Frequenza - Transizione

200MHz ~ 500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55HV

Pacchetto dispositivo fornitore

55HV

JANTXV2N4957

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-72-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

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