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BFS 360L6 E6327

BFS 360L6 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFS 360L6 E6327
PNEDA Part # BFS-360L6-E6327
Descrizione RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.760
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS 360L6 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS 360L6 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFS 360L6 E6327, BFS 360L6 E6327 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 99,38 KB)
PDFBFS 360L6 E6327 Datasheet Copertura
BFS 360L6 E6327 Datasheet Pagina 2 BFS 360L6 E6327 Datasheet Pagina 3

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BFS 360L6 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)9V
Frequenza - Transizione14GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Guadagno10dB ~ 14.5dB
Potenza - Max210mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTSLP-6-1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

87.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

68231H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

0204-125

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

225MHz ~ 400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

270W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55JT

Pacchetto dispositivo fornitore

55JT

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Guadagno

9.4dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

60099H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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