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MS2361

MS2361

Solo per riferimento

Numero parte MS2361
PNEDA Part # MS2361
Descrizione RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.676
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2361 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2361
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2361 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione1.025GHz ~ 1.15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno9dB
Potenza - Max87.5W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2.6A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaM115
Pacchetto dispositivo fornitoreM115

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

21GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Guadagno

14dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

14.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

BFP420H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MRF559G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Micro-X ceramic (84C)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro-X ceramic (84C)

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ON Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Guadagno

12dB ~ 8.5dB @ 1GHz

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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