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BFG480W,115

BFG480W,115

Solo per riferimento

Numero parte BFG480W,115
PNEDA Part # BFG480W-115
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG480W Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG480W,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG480W, BFG480W Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 362,42 KB)
PDFBFG480W Datasheet Copertura
BFG480W Datasheet Pagina 2 BFG480W Datasheet Pagina 3 BFG480W Datasheet Pagina 4 BFG480W Datasheet Pagina 5 BFG480W Datasheet Pagina 6 BFG480W Datasheet Pagina 7 BFG480W Datasheet Pagina 8 BFG480W Datasheet Pagina 9 BFG480W Datasheet Pagina 10 BFG480W Datasheet Pagina 11

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BFG480W Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione21GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
Guadagno16dB
Potenza - Max360mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 80mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)250mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreCMPAK-4

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10.5dB ~ 14dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Chip

2SC4957-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

180mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF555

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Power Macro

Pacchetto dispositivo fornitore

Power Macro

2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

12dB ~ 17dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

MT4S300U(TE85L,O,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4V

Frequenza - Transizione

26.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Guadagno

16.9dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

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