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APTM20HM20STG

APTM20HM20STG

Solo per riferimento

Numero parte APTM20HM20STG
PNEDA Part # APTM20HM20STG
Descrizione MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.730
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM20HM20STG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM20HM20STG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTM20HM20STG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C89A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs112nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6850pF @ 25V
Potenza - Max357W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 6V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3241pF @ 15V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MC

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MC

IRF6156

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

112A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

408nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7680pF @ 1000V

Potenza - Max

714W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

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