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SP8M3TB

SP8M3TB

Solo per riferimento

Numero parte SP8M3TB
PNEDA Part # SP8M3TB
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SP8M3TB Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSP8M3TB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SP8M3TB, SP8M3TB Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 107,94 KB)
PDFSP8M3FU6TB Datasheet Copertura
SP8M3FU6TB Datasheet Pagina 2 SP8M3FU6TB Datasheet Pagina 3 SP8M3FU6TB Datasheet Pagina 4 SP8M3FU6TB Datasheet Pagina 5 SP8M3FU6TB Datasheet Pagina 6

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SP8M3TB Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1155pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN2020-6L

SC8673040L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 5.85mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W, 2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

992pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

NTHD4508NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Potenza - Max

1.13W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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