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APTM10HM09FTG

APTM10HM09FTG

Solo per riferimento

Numero parte APTM10HM09FTG
PNEDA Part # APTM10HM09FTG
Descrizione MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM10HM09FTG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM10HM09FTG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM10HM09FTG, APTM10HM09FTG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 288,48 KB)
PDFAPTM10HM09FTG Datasheet Copertura
APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 2 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 3 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 4 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 5 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 6

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APTM10HM09FTG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9875pF @ 25V
Potenza - Max390W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

735pF @ 25V

Potenza - Max

34W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A, 7.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

650mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 12V

Potenza - Max

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

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-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

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