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FDS6986AS

FDS6986AS

Solo per riferimento

Numero parte FDS6986AS
PNEDA Part # FDS6986AS
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.320
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDS6986AS Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDS6986AS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDS6986AS, FDS6986AS Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 554,82 KB)
PDFFDS6986AS Datasheet Copertura
FDS6986AS Datasheet Pagina 2 FDS6986AS Datasheet Pagina 3 FDS6986AS Datasheet Pagina 4 FDS6986AS Datasheet Pagina 5 FDS6986AS Datasheet Pagina 6 FDS6986AS Datasheet Pagina 7 FDS6986AS Datasheet Pagina 8 FDS6986AS Datasheet Pagina 9 FDS6986AS Datasheet Pagina 10

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FDS6986AS Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A, 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

360mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 25V

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN2050-4

ALD114904ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Depletion Mode

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (Max) @ Id

380mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI7911DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 20V

Potenza - Max

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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