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APTM10DUM02G

APTM10DUM02G

Solo per riferimento

Numero parte APTM10DUM02G
PNEDA Part # APTM10DUM02G
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.898
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
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APTM10DUM02G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM10DUM02G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTM10DUM02G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C495A
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1360nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds40000pF @ 25V
Potenza - Max1250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.59nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

SSM6L40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta), 1.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC, 2.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF, 120pF @ 15V

Potenza - Max

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

UF6

PMDXB950UPEZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Potenza - Max

265mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010B-6

CSD87352Q5D

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V

Potenza - Max

8.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

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