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AO4800B

AO4800B

Solo per riferimento

Numero parte AO4800B
PNEDA Part # AO4800B
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 105.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4800B Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4800B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4800B, AO4800B Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 360,9 KB)
PDFAO4800B Datasheet Copertura
AO4800B Datasheet Pagina 2 AO4800B Datasheet Pagina 3 AO4800B Datasheet Pagina 4 AO4800B Datasheet Pagina 5 AO4800B Datasheet Pagina 6

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AO4800B Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1115pF @ 15V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN-EP (2x5)

FDMD8430

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5035pF @ 15V

Potenza - Max

2.1W (Ta), 29W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (3.3x5)

ALD110814SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.42V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

APTMC60TLM14CAG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

219A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

483nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 1000V

Potenza - Max

925W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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