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ALD110814SCL

ALD110814SCL

Solo per riferimento

Numero parte ALD110814SCL
PNEDA Part # ALD110814SCL
Descrizione MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD110814SCL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD110814SCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD110814SCL, ALD110814SCL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 105,73 KB)
PDFALD110814PCL Datasheet Copertura
ALD110814PCL Datasheet Pagina 2 ALD110814PCL Datasheet Pagina 3 ALD110814PCL Datasheet Pagina 4 ALD110814PCL Datasheet Pagina 5 ALD110814PCL Datasheet Pagina 6 ALD110814PCL Datasheet Pagina 7 ALD110814PCL Datasheet Pagina 8 ALD110814PCL Datasheet Pagina 9 ALD110814PCL Datasheet Pagina 10 ALD110814PCL Datasheet Pagina 11

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  • ALD110814SCL Distributor

ALD110814SCL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®
Tipo FET4 N-Channel, Matched Pair
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 5.4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.42V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

531pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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