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ALD212900PAL

ALD212900PAL

Solo per riferimento

Numero parte ALD212900PAL
PNEDA Part # ALD212900PAL
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.688
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD212900PAL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD212900PAL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD212900PAL, ALD212900PAL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 515,01 KB)
PDFALD212900ASAL Datasheet Copertura
ALD212900ASAL Datasheet Pagina 2 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 3 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 4 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 5 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 6 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 7 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 8 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 9 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 10 ALD212900ASAL Datasheet Pagina 11

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  • ALD212900PAL Distributor

ALD212900PAL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type B)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 30V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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8-SOIC

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Produttore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.92A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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