Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3032LFDBQ-7
PNEDA Part # DMN3032LFDBQ-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 154.170
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3032LFDBQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3032LFDBQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN3032LFDBQ-7, DMN3032LFDBQ-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 574,44 KB)
PDFDMN3032LFDBQ-13 Datasheet Copertura
DMN3032LFDBQ-13 Datasheet Pagina 2 DMN3032LFDBQ-13 Datasheet Pagina 3 DMN3032LFDBQ-13 Datasheet Pagina 4 DMN3032LFDBQ-13 Datasheet Pagina 5 DMN3032LFDBQ-13 Datasheet Pagina 6 DMN3032LFDBQ-13 Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMN3032LFDBQ-7 Datasheet
  • where to find DMN3032LFDBQ-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-7
  • DMN3032LFDBQ-7 PDF Datasheet
  • DMN3032LFDBQ-7 Stock

  • DMN3032LFDBQ-7 Pinout
  • Datasheet DMN3032LFDBQ-7
  • DMN3032LFDBQ-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN3032LFDBQ-7 Price
  • DMN3032LFDBQ-7 Distributor

DMN3032LFDBQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

I prodotti a cui potresti essere interessato

DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDG6308P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

ALD110802PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs (th) (Max) @ Id

220mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

IRF7507PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN2050-4

Venduto di recente

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

FLZ6V8A

FLZ6V8A

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

ADUM1250ARZ

ADUM1250ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 8SOIC

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

MSS1P4-M3/89A

MSS1P4-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

TAJB107M006RNJ

TAJB107M006RNJ

CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411

BLM21PG221SN1D

BLM21PG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN

PDTC143ZT,235

PDTC143ZT,235

Nexperia

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

ISL3330IAZ

ISL3330IAZ

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

AD8620ARZ

AD8620ARZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC