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46007T

46007T

Solo per riferimento

Numero parte 46007T
PNEDA Part # 46007T
Descrizione RF POWER TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.752
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

46007T Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte46007T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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46007T Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.25V

Frequenza - Transizione

80GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

BFR93AWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

PH3135-65M

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.23dB ~ 9.09dB

Potenza - Max

65W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7.7A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

3.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

145W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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