3N163-E3
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| Numero parte | 3N163-E3 |
| PNEDA Part # | 3N163-E3 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.914 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 13 - nov 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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3N163-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 3N163-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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3N163-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250Ohm @ 100µA, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
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