3N164 Datasheet
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-72 Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-72 Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-72 Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-72 Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
