2SK879-GR(TE85L,F)
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| Numero parte | 2SK879-GR(TE85L,F) | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | 2SK879-GR-TE85L-F | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 0.1W USM | ||||||||||||||||||
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 32.949 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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2SK879-GR(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2SK879-GR(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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2SK879-GR(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.6mA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 400mV @ 100nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 100mW |
| Temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | USM |
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