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2SK2394-6-TB-E

2SK2394-6-TB-E

Solo per riferimento

Numero parte 2SK2394-6-TB-E
PNEDA Part # 2SK2394-6-TB-E
Descrizione JFET N-CH 50MA 200MW CP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $3,0779
250 ---------- $2,9336
500 ---------- $2,7893
1.000 ---------- $2,6451
2.500 ---------- $2,5248
5.000 ---------- $2,4046
Disponibile 4.160
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SK2394-6-TB-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SK2394-6-TB-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
2SK2394-6-TB-E, 2SK2394-6-TB-E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 288,93 KB)
PDF2SK2394-7-TB-E Datasheet Copertura
2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 2 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 3 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 4 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 5 2SK2394-7-TB-E Datasheet Pagina 6

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2SK2394-6-TB-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)15V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max50mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id300mV @ 100µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10pF @ 5V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max200mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore3-CP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4.5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

3 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

750mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 4nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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15mA @ 20V

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2V @ 1nA

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