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MMBF5460LT1G

MMBF5460LT1G

Solo per riferimento

Numero parte MMBF5460LT1G
PNEDA Part # MMBF5460LT1G
Descrizione JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $0,2318
500 ---------- $0,2209
1.000 ---------- $0,2101
2.500 ---------- $0,1992
5.000 ---------- $0,1902
10.000 ---------- $0,1811
Disponibile 462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBF5460LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBF5460LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBF5460LT1G, MMBF5460LT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 60,27 KB)
PDFMMBF5460LT1G Datasheet Copertura
MMBF5460LT1G Datasheet Pagina 2 MMBF5460LT1G Datasheet Pagina 3 MMBF5460LT1G Datasheet Pagina 4 MMBF5460LT1G Datasheet Pagina 5

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MMBF5460LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id750mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N4117A-2

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

2N4391

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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