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AON3806 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (2.9x2.3)	Disponibile53.909
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile27.329
IRF7341PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile58.528
IRF7328PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile860
IRF7319PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile288
IRF8915 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile378
IRF7754 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile109
IRF7103Q Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile10.656
IRF7507TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile1.813
IRF7506TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile5.032
NDS9955 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.829
NDS8926 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile39
STS8DNH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile10.776
VMM650-01F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 680A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y3-Li Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li	Disponibile140
APTM08TAM04PG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4530pF @ 25V Potenza - Max: 138W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SP6 Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P	Disponibile5.861
AO8808A Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile15.367
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile161.437
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V Potenza - Max: 46W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Richiedi un preventivo
STL8DN10LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Potenza - Max: 70W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile989
CSD87313DMS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (3.3x3.3)	Disponibile12.182
STL8DN6LF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Potenza - Max: 65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)	Disponibile1.185
FDS8935 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.944
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 305mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26	Disponibile3.872
FTCO3V455A1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE Produttore: ON Semiconductor Serie: SPM® Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 115W Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 19-PowerDIP Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile60
SLA5061 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile2.354
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V Potenza - Max: 780W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile94
TC8020K6-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 6 N and 6 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 56-VFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 56-QFN (8x8)	Disponibile27
EPC2111 EPC	Transistor - FET, MOSFET - Array GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID Produttore: EPC Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.137
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Potenza - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile418
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array SIC POWER MODULE Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Potenza - Max: 880W Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile2.471

AON3806

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN

Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Potenza - Max: 2.5W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (2.9x2.3)

Disponibile53.909

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: UltraFET™
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Potenza - Max: 2.5W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile27.329

IRF7341PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile58.528

IRF7328PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile860

IRF7319PBF

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile288

IRF8915

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile378

IRF7754

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V
Potenza - Max: 1W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile109

IRF7103Q

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Potenza - Max: 2.4W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile10.656

IRF7507TR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V MICRO8

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: N and P-Channel
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Potenza - Max: 1.25W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™

Disponibile1.813

IRF7506TR

Infineon Technologies

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

Produttore: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Potenza - Max: 1.25W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™

Disponibile5.032

NDS9955

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Potenza - Max: 900mW
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile2.829

NDS8926

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Potenza - Max: 900mW
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile39

STS8DNH3LL

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttore: STMicroelectronics
Serie: STripFET™ III
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Potenza - Max: 2W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO

Disponibile10.776

VMM650-01F

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

Produttore: IXYS
Serie: HiPerFET™
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 680A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Y3-Li
Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li

Disponibile140

APTM08TAM04PG

Microsemi

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4530pF @ 25V
Potenza - Max: 138W
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: SP6
Pacchetto dispositivo fornitore: SP6-P

Disponibile5.861

AO8808A

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP

Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V
Potenza - Max: 1.4W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile15.367

DMN5L06VKQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Potenza - Max: 250mW
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563

Disponibile161.437

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Potenza - Max: 46W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual

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STL8DN10LF3

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Potenza - Max: 70W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)

Disponibile989

CSD87313DMS

Texas Instruments

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

Produttore:
Serie: NexFET™
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (3.3x3.3)

Disponibile12.182

STL8DN6LF3

STMicroelectronics

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Potenza - Max: 65W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerFlat™ (5x6)

Disponibile1.185

FDS8935

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Potenza - Max: 1.6W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile2.944

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Potenza - Max: 400mW
Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26

Disponibile3.872

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SPM®
Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
Potenza - Max: 115W
Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: 19-PowerDIP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Module

Disponibile60

SLA5061

Sanken

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP

Produttore: Sanken
Serie: -
Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FET: Logic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id: -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Potenza - Max: 5W
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: 12-SIP
Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin

Disponibile2.354

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET: Silicon Carbide (SiC)
Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Potenza - Max: 780W
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Module

Disponibile94

TC8020K6-G

Microchip Technology

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN

Produttore: Microchip Technology
Serie: -
Tipo FET: 6 N and 6 P-Channel
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 56-VFQFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 56-QFN (8x8)

Disponibile27

EPC2111

EPC

Transistor - FET, MOSFET - Array

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Produttore: EPC
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET: GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potenza - Max: -
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Die
Pacchetto dispositivo fornitore: Die

Disponibile3.137

SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Standard
Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potenza - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)

Disponibile418

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Array

SIC POWER MODULE

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Funzione FET: Silicon Carbide (SiC)
Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Potenza - Max: 880W
Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Module

Disponibile2.471

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