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CY7C1512JV18-267BZI
CY7C1512JV18-267BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile282
CY7C1512AV18-250BZC
CY7C1512AV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile155
CY7C1512AV18-200BZXI
CY7C1512AV18-200BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile7.946
CY7C1512AV18-200BZI
CY7C1512AV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile2.381
CY7C1460AV25-200BZC
CY7C1460AV25-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 36Mb (1M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.2ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile322
CY7C1460AV25-167BZCT
CY7C1460AV25-167BZCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 36Mb (1M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile1.544
CY7C1412BV18-200BZXC
CY7C1412BV18-200BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile653
CY7C1412BV18-167BZXI
CY7C1412BV18-167BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile6.880
CY7C1412AV18-250BZXC
CY7C1412AV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile281
CY7C1412AV18-200BZI
CY7C1412AV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile1.526
CY7C1392CV18-250BZC
CY7C1392CV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile20
CY7C1380F-167BGC
CY7C1380F-167BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 119-BGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)
Disponibile7.537
CY7C1320BV18-167BZC
CY7C1320BV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile242
CY7C1318CV18-250BZXC
CY7C1318CV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile61
CY7C1318BV18-250BZC
CY7C1318BV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile4.963
CY7C1315CV18-250BZC
CY7C1315CV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile7.846
CY7C1315BV18-167BZC
CY7C1315BV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile57
CY7C1314CV18-250BZC
CY7C1314CV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile562
CY7C1313BV18-200BZC
CY7C1313BV18-200BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile47
CY7C1312BV18-200BZI
CY7C1312BV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile3.814
CY7C1305BV25-167BZC
CY7C1305BV25-167BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 2.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile40
CY7C1270V18-400BZXC
CY7C1270V18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria: 36Mb (1M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile7.982
CY7C1250V18-333BZC
CY7C1250V18-333BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II
  • Dimensione della memoria: 36Mb (1M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile151
CY7C0853V-133BBI
CY7C0853V-133BBI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 172FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 172-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 172-FBGA (15x15)
Disponibile1.083
IS61VPS102418A-250TQL
IS61VPS102418A-250TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 2.6ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile188
IS61LF102418A-7.5TQLI
IS61LF102418A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 117MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 7.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile3.709
DS1250ABP-70IND+
DS1250ABP-70IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile205
BQ4014MB-120
BQ4014MB-120

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile120
BQ4013YMA-120
BQ4013YMA-120

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile223
M29W040B90K1
M29W040B90K1

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC

  • Produttore: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
  • Tempo di accesso: 90ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-LCC (J-Lead)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-PLCC (11.35x13.89)
Disponibile1.364