BQ4013YMA-120
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| Numero parte | BQ4013YMA-120 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BQ4013YMA-120 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 223 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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BQ4013YMA-120 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BQ4013YMA-120 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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BQ4013YMA-120 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 120ns |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 16Mb (512K x 16 x 2) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 6ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 50-TSOP II |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
