Advanced Linear Devices Inc. Transistor - FET, MOSFET - Array

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.

Record 125

Pagina 5/5

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Funzione FET	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
ALD111933MAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP	3.384	EPAD®	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Standard	10.6V	-	500Ohm @ 5.9V	3.35V @ 1µA	-	2.5pF @ 5V	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Surface Mount	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	8-MSOP
ALD1115MAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP	5.256	-	N and P-Channel Complementary	Standard	10.6V	-	1800Ohm @ 5V	1V @ 1µA	-	3pF @ 5V	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Surface Mount	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	8-MSOP
ALD111910MAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 8MSOP	6.138	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD111910PAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 8DIP	5.688	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
ALD111910SAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 8SOIC	5.040	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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