Transphorm Transistor - FET, MOSFET - Array

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Array

ProduttoreTransphorm

Record 1

Pagina 1/1

Immagine	Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Quantità	Serie	Tipo FET	Funzione FET	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Potenza - Max	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
	TPD3215M	Transphorm	GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE	8.640		-	2 N-Channel (Half Bridge)	GaNFET (Gallium Nitride)	600V	70A (Tc)	34mOhm @ 30A, 8V	-	28nC @ 8V	2260pF @ 100V	470W	-40°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	Module	Module

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