Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AO4202L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.410
AO4240 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 24A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4245pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.160
AO4260 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4940pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.812
AO4262E Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1652pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.586
AO4264 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2007pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.266
AO4264_101 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2007pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.526
AO4264_DELTA Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2007pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.122
AO4264E Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.546
AO4266 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 10A Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.652
AO4266E Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.094
AO4268 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.218
AO4286 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.136
AO4290A Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4525pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.388
AO4292 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.572
AO4292E Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.364
AO4294 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.376
AO4296 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.970
AO4302 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.100
AO4304 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.796
AO4304_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.236
AO4306 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.888
AO4310 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 36V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 18V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.652
AO4312 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 36V 23A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 36V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2345pF @ 18V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.552
AO4314 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 36V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 18V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 4.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.264
AO4354 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile42.480
AO4354_101 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.544
AO4402 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4630pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile44.202
AO4403 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1128pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.514
AO4403L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1128pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.984
AO4404B Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.400

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