Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V Potenza - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile6.858
SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO- Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC, 75nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF, 3900pF @ 25V Potenza - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile2.178
SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V Potenza - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile3.816
SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V Potenza - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile4.788
SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V Potenza - Max: 27W (Tc), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile3.636
SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 20V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile24.096
SQJ500EP ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.706
SQJ500EPTR ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.956
SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V Potenza - Max: 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile5.436
SQJ560EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V Potenza - Max: 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile8.082
SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V Potenza - Max: 27W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile4.662
SQJ844AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile25.182
SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile6.462
SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1835pF @ 20V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile23.886
SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Potenza - Max: 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile21.708
SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V Potenza - Max: 27W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile5.706
SQJ940EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 896pF @ 20V Potenza - Max: 48W, 43W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric	Disponibile47.622
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Potenza - Max: 55W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile4.590
SQJ942EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V Potenza - Max: 17W, 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8	Disponibile25.680
SQJ946EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Potenza - Max: 27W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile4.392
SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Potenza - Max: 56W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile6.138
SQJ952EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 30V Potenza - Max: 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile254.556
SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V Potenza - Max: 34W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile8.154
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.9mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 30V Potenza - Max: 35W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.632
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 8A Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Potenza - Max: 34W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile2.304
SQJ962EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Potenza - Max: 25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile3.492
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V Potenza - Max: 27W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile260.952
SQJ968EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Potenza - Max: 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile4.122
SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Potenza - Max: 48W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile58.386
SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Potenza - Max: 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.902

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