Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 762/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile22.230
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1154pF @ 20V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.182
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 20V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile22.446
DMP4050SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 20V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.970
DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54pF @ 25V Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile8.352
DMP57D5UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 29pF @ 25V Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile2.808
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 25V Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile154.632
DMP6050SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.744
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile109.023
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile8.514
DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile3.096
DMPH6050SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.246
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.078
DMS3017SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 15V Potenza - Max: 1.19W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.070
DMS3019SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V Potenza - Max: 1.19W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.122
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 54.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V Potenza - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile3.276
DMT2005UDV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V Potenza - Max: 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile4.428
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 10V Potenza - Max: 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile3.384
DMT3009LDT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8 (Type K)	Disponibile7.326
DMT3011LDT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 10.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Potenza - Max: 1.9W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8 (Type K)	Disponibile4.338
DMT3020LDV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Potenza - Max: 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile4.986
DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Potenza - Max: 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile2.394
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile8.262
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile42.972
DMT3020LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Potenza - Max: 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.698
DMT3022UEV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V Potenza - Max: 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile3.544
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V Potenza - Max: 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile2.034
DMT47M2LDV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.686
DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.104
DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.192

«
‹
1
...
759
760
761
762 (current)
763
764
765
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message