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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMP2065UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CH 4.5A UDFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile8.352
DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V Potenza - Max: 1.54W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile2.142
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile5.058
DMP2075UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET P-CH 20V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile5.382
DMP2075UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET P-CH 20V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile3.472
DMP2100UCB9-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: U-WLB1515-9	Disponibile7.920
DMP2100UFU-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6	Disponibile7.560
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)	Disponibile44.952
DMP2101UCB9-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.946
DMP210DUDJ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.44pF @ 15V Potenza - Max: 330mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-963 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963	Disponibile78.984
DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Potenza - Max: 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile7.776
DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Potenza - Max: 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile3.150
DMP2160UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile6.156
DMP2160UFDB-7R Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET P-CH SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.472
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile2.070
DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile8.136
DMP2200UDW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile324.270
DMP2240UDM-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 16V Potenza - Max: 600mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26	Disponibile7.416
DMP22D4UDA-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CH 20V X2DFN0806-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 328mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 15V Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0806-6	Disponibile3.978
DMP2900UV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.128
DMP2900UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.866
DMP2900UW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.718
DMP2900UW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.834
DMP3028LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 6A SO-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.858
DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile144
DMP3048LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 4.8A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 15V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.488
DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile23.934
DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.956
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile389.856
DMP3098LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 336pF @ 25V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile6.192

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