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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMN65D8LDWQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.086
DMN66D0LDW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Potenza - Max: 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile3.474
DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Potenza - Max: 320mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile2.196
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Potenza - Max: 320mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile2.160
DMNH4015SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.820
DMNH4015SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1938pF @ 15V Potenza - Max: 1.4W, 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.148
DMNH4026SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.410
DMNH4026SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.276
DMNH6021SPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile3.366
DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1143pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile6.084
DMNH6021SPDW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.168
DMNH6021SPDWQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.138
DMNH6022SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A, 22.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.838
DMNH6022SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A, 22.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.928
DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.370
DMNH6035SPDWQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.556
DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.398
DMNH6042SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 25V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile19.212
DMNH6065SPDW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.502
DMNH6065SPDWQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.022
DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile4.464
DMP1046UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile315.966
DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile7.200
DMP2004DMK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 550mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26	Disponibile7.848
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile7.398
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile353.472
DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.04A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V Potenza - Max: 890mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.712
DMP2040USD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2. Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 834pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.826
DMP2060UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile7.758
DMP2060UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile4.050

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