Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V Potenza - Max: 660mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-UFQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-QFN1515-12	Disponibile949
DMN13M9UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V Potenza - Max: 2.67W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X3-DSN3518-6	Disponibile6.768
DMN16M0UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2112- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.704
DMN16M9UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X3-DSN2718-6	Disponibile2.196
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 540mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 225mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26	Disponibile672.162
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 540mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 200mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile545.082
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 200mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile2.754
DMN2004VK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 540mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile265.212
DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1310-6 (Type B)	Disponibile298.062
DMN2008LFU-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)	Disponibile5.814
DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)	Disponibile4.608
DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2665pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2535-6	Disponibile6.588
DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN2050-4	Disponibile69.066
DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.4nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2607pF @ 10V Potenza - Max: 2.14W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: W-DFN5020-6	Disponibile2.718
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6 (Type B)	Disponibile28.272
DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1472pF @ 10V Potenza - Max: 770mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN3030-8	Disponibile174.336
DMN2016LHAB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2030-6	Disponibile8.208
DMN2016UFX-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Potenza - Max: 1.07W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN2050-4	Disponibile8.136
DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.58A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V Potenza - Max: 880mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile280.842
DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 780mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile451
DMN2022UNS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile5.454
DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile7.920
DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Potenza - Max: 1.45W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-XFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: X1-WLB1818-4	Disponibile3.978
DMN2024UDH-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN3030-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Potenza - Max: 950mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN3030-8	Disponibile6.102
DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSSOP-8 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Potenza - Max: 890mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.658
DMN2024UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.816
DMN2024UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.904
DMN2025UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile5.742
DMN2025UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile5.760
DMN2028UFDH-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3030-8	Disponibile3.834

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