Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V Potenza - Max: 850mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile1.256.124
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 840mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-23-6	Disponibile1.055.490
DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Potenza - Max: 840mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile148.848
DMG6602SVTX-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V Potenza - Max: 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile6.102
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Potenza - Max: 1.28W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile52.800
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Potenza - Max: 1.28W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile25.644
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 850mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26	Disponibile636.432
DMG6968UTS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile2.700
DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Potenza - Max: 920mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN3030-8	Disponibile21.858
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 841pF @ 10V Potenza - Max: 870mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile2.538
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Potenza - Max: 980mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-26	Disponibile312.114
DMG9926USD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile64.020
DMG9933USD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 608.4pF @ 6V Potenza - Max: 1.15W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.094
DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V Potenza - Max: 1.64W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.236
DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN5045-12	Disponibile3.276
DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile150.162
DMHC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.988
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile20.094
DMHC4035LSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V Potenza - Max: 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.344
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.814
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045- Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN5045-12	Disponibile7.308
DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 12-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN5045-12	Disponibile46.044
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X4-DSN3118-6	Disponibile2.754
DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V Potenza - Max: 2.67W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X3-DSN3518-6	Disponibile7.812
DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X3-DSN2718-6	Disponibile11.129
DMN1023UCB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: U-WLB1010-4	Disponibile3.474
DMN1029UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile8.766
DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile22.416
DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.45W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: U-WLB1818-4	Disponibile27.048
DMN1150UFL3-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V Potenza - Max: 390mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1310-6 (Type B)	Disponibile5.544

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