Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 753/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A, 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.748
DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile55.398
DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile21.060
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A, 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Potenza - Max: 1.24W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile48.816
DMC6040SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Potenza - Max: 1.24W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.556
DMC6070LFDH-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3030-8	Disponibile6.570
DMC6070LND-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile2.034
DMC6070LND-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8	Disponibile8.010
DMC62D0SVQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V, 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 571mA (Ta), 304mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 26pF @ 25V Potenza - Max: 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile49.182
DMC67D8UFDBQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.804
DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.628
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.07A, 845mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V Potenza - Max: 330mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile3.526
DMG1016V-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Potenza - Max: 530mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile1.153.086
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Potenza - Max: 530mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile3.924
DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 870mA, 640mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Potenza - Max: 530mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile53.430
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.03A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76pF @ 16V Potenza - Max: 530mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile1.014.834
DMG1023UVQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.976
DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.698
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.38A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Potenza - Max: 530mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile142.212
DMG1026UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Potenza - Max: 580mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile1.041.174
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45pC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V Potenza - Max: 650mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile7.830
DMG1029SV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA, 360mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile4.498.680
DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Potenza - Max: 1.54W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-4L	Disponibile8.928
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Potenza - Max: 1.17W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile712.260
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Potenza - Max: 1.42W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile114.540
DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Potenza - Max: 1.42W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.668
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1932pF @ 15V Potenza - Max: 1.19W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.092
DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V Potenza - Max: 980mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: W-DFN5020-6	Disponibile6.030
DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile4.950
DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile22.092

«
‹
1
...
750
751
752
753 (current)
754
755
756
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message