Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 750/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile5.598
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile6.930
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile120.420
DMC1029UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile5.328
DMC1029UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile26.570
DMC1030UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile6.984
DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile4.374
DMC1030UFDBQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile2.844
DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Potenza - Max: 1.36W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile7.074
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile2.464
DMC1229UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile22.500
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 540mA, 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 250mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile2.359.068
DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X1-DFN1612-6	Disponibile29.970
DMC2004VK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 670mA, 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile244.794
DMC2020USD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile74.916
DMC2025UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile3.060
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile8.856
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile1.024.398
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Potenza - Max: 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile2.642
DMC2041UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile3.438
DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type B)	Disponibile8.556
DMC2053UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile6.030
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile3.402
DMC2057UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile8.190
DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Potenza - Max: 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26	Disponibile8.622
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0806-6	Disponibile3.888
DMC2400UV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile205.884
DMC2400UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile1.597.434
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile8.622
DMC2450UV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Potenza - Max: 450mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563	Disponibile71.320

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