Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
CSD87588N Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore: 5-PTAB (3x2.5)	Disponibile2.643
CSD87588NT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-LGA Pacchetto dispositivo fornitore: 5-PTAB (5x3.5)	Disponibile47.136
CSD88537ND Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile17.254
CSD88537NDT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile31.752
CSD88539ND Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile11.697
CSD88539NDT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile18.738
CSD88584Q5DC Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 22-PowerTFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 22-VSON-CLIP (5x6)	Disponibile3.420
CSD88584Q5DCT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 22-PowerTFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 22-VSON-CLIP (5x6)	Disponibile18.078
CSD88599Q5DC Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 22-PowerTFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 22-VSON-CLIP (5x6)	Disponibile3.096
CSD88599Q5DCT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 22-PowerTFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 22-VSON-CLIP (5x6)	Disponibile7.290
CTLDM303N-M832DS BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHANNEL Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile4.194
CTLDM303N-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile2.772
CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile2.502
CTLDM7120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHANNEL Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile6.192
CTLDM7120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1A Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile4.248
CTLDM8120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHANNEL Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile2.718
CTLDM8120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHANNEL Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V Potenza - Max: 1.65W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: TLM832DS	Disponibile3.942
CWDM305ND TR13 Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.148
CWDM305PD TR13 Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile7.650
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET MODULE 1200V 50A Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Potenza - Max: 20mW Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.978
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET MOD 1200V 50A Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Potenza - Max: 20mW Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: AG-EASY1BM-2	Disponibile7.542
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET MODULE 1200V 25A Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V Potenza - Max: 20mW Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile2.610
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET MOD 1200V 25A Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Potenza - Max: 20mW Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: AG-EASY1BM-2	Disponibile6.696
DI9942T Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.6W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile3.078
DI9945T Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile5.220
DI9952T Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile5.814
DI9956T Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile7.272
DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile19.632
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile5.490
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8	Disponibile4.104

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