Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
CSD86356Q5DT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V Potenza - Max: 12W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON-CLIP (5x6)	Disponibile13.116
CSD86360Q5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5 Potenza - Max: 13W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile2.614
CSD87312Q3E Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile20.724
CSD87313DMS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (3.3x3.3)	Disponibile12.182
CSD87313DMST Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (3.3x3.3)	Disponibile19.896
CSD87330Q3D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (3.3x3.3)	Disponibile634.104
CSD87331Q3D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 518pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile227.310
CSD87333Q3D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile90.492
CSD87333Q3DT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile16.176
CSD87334Q3D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile18.624
CSD87334Q3DT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile12.756
CSD87335Q3D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (3.3x3.3)	Disponibile46.733
CSD87335Q3DT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 25A Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Potenza - Max: 6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (3.3x3.3)	Disponibile14.808
CSD87350Q5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 15V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile8.172
CSD87351Q5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile23.694
CSD87351ZQ5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1255pF @ 15V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile4.230
CSD87352Q5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V Potenza - Max: 8.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile291.192
CSD87353Q5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3190pF @ 15V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile2.941
CSD87355Q5D Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8LSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 15V Potenza - Max: 12W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile8.640
CSD87355Q5DT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET: Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 15V Potenza - Max: 2.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LSON (5x6)	Disponibile6.768
CSD87381P Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 15V Potenza - Max: 4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-LGA Pacchetto dispositivo fornitore: 5-PTAB (3x2.5)	Disponibile12.932
CSD87381PT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 15V Potenza - Max: 4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-LGA Pacchetto dispositivo fornitore: 5-PTAB (3x2.5)	Disponibile33.930
CSD87384M Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Potenza - Max: 8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-LGA Pacchetto dispositivo fornitore: 5-PTAB (5x3.5)	Disponibile8.964
CSD87384MT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Potenza - Max: 8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-LGA Pacchetto dispositivo fornitore: 5-PTAB (5x3.5)	Disponibile7.572
CSD87501L Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore: 10-Picostar (3.37x1.47)	Disponibile4.572
CSD87501LT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 10-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore: 10-Picostar (3.37x1.47)	Disponibile13.176
CSD87502Q2 Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WSON (2x2)	Disponibile23.544
CSD87502Q2T Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WSON (2x2)	Disponibile144.294
CSD87503Q3E Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V Potenza - Max: 15.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile9
CSD87503Q3ET Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Array 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V Potenza - Max: 15.6W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON (3.3x3.3)	Disponibile5.796

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