Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Record 64.903

Pagina 689/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
PDTB123EK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile7.362
PDTB123EQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile2.646
PDTB123ES,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.966
PDTB123ET,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile6.246
PDTB123EUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile6.984
PDTB123EUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile2.412
PDTB123TK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile4.302
PDTB123TS,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.488
PDTB123TT,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile5.184
PDTB123YK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile7.092
PDTB123YQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile8.658
PDTB123YS,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.304
PDTB123YT,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile148.188
PDTB123YUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile7.920
PDTB123YUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile5.994
PDTB143EQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile3.780
PDTB143ETR Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.46W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile2.808
PDTB143ETVL Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.46W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile7.218
PDTB143EUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile4.950
PDTB143EUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile5.166
PDTB143XQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile5.040
PDTB143XTR Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.46W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile29.052
PDTB143XTVL Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.46W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile6.300
PDTB143XUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile5.760
PDTB143XUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 140MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile6.012
PDTC114EE,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75	Disponibile4.446
PDTC114EK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile7.434
PDTC114EK,135 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile4.716
PDTC114EM,315 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3	Disponibile7.848
PDTC114EMB,315 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3	Disponibile8.172

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