Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BCR148SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile3.672
BCR148SH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile5.796
BCR 148S H6827 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile5.742
BCR169SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile3.888
BCR169SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile7.776
BCR183SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile6.894
BCR183SE6433BTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile3.672
BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile7.380
BCR183SH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile4.050
BCR183UE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC74-6	Disponibile2.502
BCR185SB6327XT Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile4.050
BCR185SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile4.140
BCR185SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile100.716
BCR198SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 190MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile5.652
BCR198SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 190MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile2.268
BCR198SH6827XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 190MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile8.244
BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile3.924
BCR22PNE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile5.040
BCR22PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile6.048
BCR22PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile7.920
BCR 22PN H6727 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile2.358
BCR35PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile8.100
BCR35PNE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile7.596
BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile27.600
BCR35PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile2.844
BCR48PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz, 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile8.982
BCR48PNE6433BTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz, 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile2.538
BCR48PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz, 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile4.230
BCR48PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz, 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile7.308
BCR 48PN H6727 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA, 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: 100MHz, 200MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT363-6	Disponibile5.022

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