Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 41/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ULN2803ADWRG4 Texas Instruments	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO Produttore: Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-SOIC	Disponibile222.204
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 1.31W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-SOL	Disponibile7.344
ULN2803AN Texas Instruments	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-PDIP	Disponibile4.014
ULN2803ANG4 Texas Instruments	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-PDIP	Disponibile3.726
ULN2803APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 1.47W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile3.204
ULN2804A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 2.25W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -20°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile18.708
ULN2805A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 2.25W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -20°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile2.286
ULQ2001A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-DIP	Disponibile8.460
ULQ2001D1013TR STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SO	Disponibile4.194
ULQ2003A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-DIP	Disponibile14.580
ULQ2003D1 STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SO	Disponibile7.128
ULQ2003D1013TR STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SO	Disponibile59.064
ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SO	Disponibile130.152
ULQ2004A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-DIP	Disponibile10.920
ULQ2004D1013TR STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 7 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SO	Disponibile45.870
ULQ2801A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array IC ARRAYS EIGHT DARL 18-DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 2.25W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile4.680
ULQ2802A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 2.25W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile8.550
ULQ2803A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 2.25W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile59.880
ULQ2804A STMicroelectronics	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di transistor: 8 NPN Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Potenza - Max: 2.25W Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 18-DIP	Disponibile19.524
UMB10NFHATN Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 250MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile6.156
UMB2NFHATN Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 250MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile3.546
UMB3NFHATN Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 250MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile5.364
UMB4NFHATN Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 250MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile6.696
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 250MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile28.122
UML23NTR Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN + Zener Diode (Isolated) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 180MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile28.194
UML2N-TP Micro Commercial Co	Transistor - Bipolare (BJT) - Array DIODE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di transistor: NPN + Diode (Isolated) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 180MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-353	Disponibile8.622
UML6N-TP Micro Commercial Co	Transistor - Bipolare (BJT) - Array DIODE Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di transistor: NPN + Diode (Isolated) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Potenza - Max: 120mW Frequenza - Transizione: 320MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-353	Disponibile7.434
UMT18NTR Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 260MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile25.752
UMT1NTN Rohm Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 140MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: UMT6	Disponibile240.654
UMT1N-TP Micro Commercial Co	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Potenza - Max: 150mW Frequenza - Transizione: 140MHz Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile87.234

«
‹
1
...
38
39
40
41 (current)
42
43
44
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message