Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Record 64.903

Pagina 2037/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FGA6065ADF ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 120A 306W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Potenza - Max: 306W Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25.6ns/71ns Condizione di test: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile7.668
FGA60N60UFDTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 120A 298W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Potenza - Max: 298W Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 188nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/130ns Condizione di test: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 47ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile8.712
FGA60N65SMD ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 120A 600W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Potenza - Max: 600W Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 189nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/104ns Condizione di test: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 47ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile15.276
FGA6530WDF ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 60A 176W TO3PN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Potenza - Max: 176W Switching Energy: 960µJ (on), 162µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 37.4nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/42.4ns Condizione di test: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 81ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile4.050
FGA6540WDF ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 80A 238W TO-3PN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Potenza - Max: 238W Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 55.5nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16.8ns/54.4ns Condizione di test: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 101ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile8.352
FGA6560WDF ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 120A 306W TO-3PN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Potenza - Max: 306W Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 84nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25.6ns/71ns Condizione di test: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile5.886
FGA70N30TDTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 300V 201W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A Potenza - Max: 201W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 125nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): 21ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile4.248
FGA70N30TTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 300V 201W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A Potenza - Max: 201W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 125nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile2.106
FGA70N33BTDTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 149W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A Potenza - Max: 149W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 49nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): 23ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile7.704
FGA90N30DTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 300V 90A 219W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Potenza - Max: 219W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 87nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): 21ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile4.068
FGA90N30TU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 300V 90A 219W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Potenza - Max: 219W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 87nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile5.454
FGA90N33ATDTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 90A 223W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Potenza - Max: 223W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 95nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): 23ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile8.244
FGA90N33ATTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 90A 223W TO3P Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Potenza - Max: 223W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 95nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P	Disponibile2.268
FGAF20N60SMD ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Potenza - Max: 75W Switching Energy: 452µJ (on), 141µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 64nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/91ns Condizione di test: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 26.7ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF	Disponibile8.196
FGAF40N60SMD ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 80A 79W TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Potenza - Max: 115W Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 119nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 12ns/92ns Condizione di test: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 36ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF	Disponibile5.886
FGAF40N60UFDTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 100W TO3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Potenza - Max: 100W Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 77nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/65ns Condizione di test: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF	Disponibile8.688
FGAF40N60UFTU ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 100W TO3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Potenza - Max: 100W Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 77nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/65ns Condizione di test: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF	Disponibile8.868
FGAF40S65AQ ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V 40A FS4 SA IGBT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Potenza - Max: 94W Switching Energy: 132µJ (on), 62µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 75nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 17.8ns/81.6ns Condizione di test: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 274ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF-3	Disponibile6.282
FGB20N60SF ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 208W D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Potenza - Max: 208W Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 65nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/90ns Condizione di test: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK	Disponibile2.250
FGB20N60SFD ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 208W D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Potenza - Max: 208W Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 65nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 13ns/90ns Condizione di test: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 34ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK	Disponibile6.840
FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 208W D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo IGBT: Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A Potenza - Max: 208W Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 63nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/90ns Condizione di test: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 111ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK	Disponibile25.050
FGB20N6S2 ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 28A 125W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Potenza - Max: 125W Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 7.7ns/87ns Condizione di test: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile8.856
FGB20N6S2D ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 28A 125W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Potenza - Max: 125W Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 7.7ns/87ns Condizione di test: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 31ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile3.510
FGB3040CS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 430V 21A 150W TO263-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 21A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Potenza - Max: 150W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 15nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/4.7µs Condizione di test: 300V, 1kOhm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-6	Disponibile3.508
FGB3040G2-F085 ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 400V 41A TO263 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 400V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Potenza - Max: 150W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 21nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 900ns/4.8µs Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263)	Disponibile43.746
FGB3040G2-F085C ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 400V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 41A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Potenza - Max: 150W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 21nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 900ns/4.8µs Condizione di test: 5V, 470Ohm Tempo di recupero inverso (trr): 1.9µs Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK-3 (TO-263-3)	Disponibile3.546
FGB30N6S2 ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 45A 167W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/40ns Condizione di test: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile7.848
FGB30N6S2D ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 45A 167W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/40ns Condizione di test: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 46ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile6.678
FGB30N6S2DT ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 45A 167W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/40ns Condizione di test: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 46ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile7.398
FGB30N6S2T ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 45A 167W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 55µJ (on), 110µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/40ns Condizione di test: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile4.302

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