Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2001/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FS820R08A6P2LMBPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli HYBRID PACK DRIVE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 820A Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.474
FS900R08A2P2B31BOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.968
FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.212
FT150R12KE3B5BOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli PWR MODULE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.892
FT150R12KE3G_B4 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile5.274
FT150R12KE3GB4BDLA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: 3 Independent Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile6.174
FZ1000R12KF5NDSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1000A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.158
FZ1000R12KF5NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1000A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.996
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHVB130-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1000A Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile4.914
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHVB130-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1000A Potenza - Max: 1600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.456
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.802
FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHMB130-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1825A Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 74nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile5.490
FZ1200R12HP4HOSA2 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHMB130-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1790A Potenza - Max: 7150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 74nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.888
FZ1200R12KF4NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.996
FZ1200R12KF5NDSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.776
FZ1200R12KF5NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.148
FZ1200R12KL4CNOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1200V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.934
FZ1200R17HE4HOSA2 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHMB130-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: 7800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile2.610
FZ1200R17HE4PHPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHMB130-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile8.478
FZ1200R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHMB130-1 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: 7800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile8.532
FZ1200R17HP4HOSA2 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHMB130-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: 7800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile5.130
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1700V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.222
FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 1700V 1200A Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.236
FZ1200R33HE3BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHVB190-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: 13000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 210nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile8.946
FZ1200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT A-IHV190-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2000A Potenza - Max: 14500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 12mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 150nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile2.628
FZ1200R33KL2CB5NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 3300V IHV 190MM Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2300A Potenza - Max: 14500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 145nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.348
FZ1200R33KL2CNOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli IGBT MODULE 3300V IHV 190MM Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2300A Potenza - Max: 14500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 145nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile6.768
FZ1200R45HL3BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHVB190-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4500V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: 15000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.294
FZ1200R45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT A-IHV190-4 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 4500V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1200A Potenza - Max: 13500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -50°C ~ 125°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile2.718
FZ1500R33HE3BPSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT IHVB190-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 3300V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1500A Potenza - Max: 17000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1500A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.330

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